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从材料的可靠性角度出发,我们通过导电原子力显微镜测试收集多个不同位置的漏电流以及超过3000条伏安曲线,系统地证明了超薄氟化钙具有优于二氧化硅、二氧化钛和六方氮化硼的优异电学性能。

 
 
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氟化钙薄膜的介电性能

2021年1月28日*星期四
北京时间东八区上午11:00-12:00
*Note: This webinar will be presented in Mandarin /中文

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通过导电原子力显微镜观察到的氟化钙、二氧化硅、二氧化钛和六方氮化硼的纳米级电均匀性。

由于二维材料与传统三维电介质间问题性界面的存在,二维材料在固态电子器件和电路集成的应用极大被限制。然而不同于传统的三维介电材料,氟化钙与二维材料间形成的准范德华界面能大大提高界面间兼容性。从材料的可靠性角度出发,我们通过导电原子力显微镜测试收集多个不同位置的漏电流以及超过3000条伏安曲线,系统地证明了超薄氟化钙具有优于二氧化硅、二氧化钛和六方氮化硼的优异电学性能(即高均匀性、低漏电流以及强介电强度)。

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主讲人: 
文超

2018年,文超在武汉理工大学获得物理学理学士学位;同年,她进入苏州大学功能纳米与软物质学院,现在为硕士三年级在读生。2019年,文超前往西班牙罗维拉-威尔吉利大学进行研究学习,并获得纳米学硕士学位。文超的研究重点是利用导电原子力显微镜来表征电介质的纳米级电学性质,进一步发展二维材料在电子器件上的应用。她已经在各期刊发表了8篇SCI论文,包括Nature Electronics,Advanced Materials(一作), Advanced Functional Materials, ACS Applied Materials and Interfaces(一作)等。同时,她也是Scientific Reports 和Microelectronic Engineering的审稿人。

 

 

 

Park Lectures - Park Atomic Force Microscope